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IXFA6N120P TRL

IXFA6N120P TRL

MOSFET N-CH 1200V 6A D2PAK
Numéro d'article
IXFA6N120P TRL
Fabricant/Marque
Série
HiPerFET™, PolarP2™
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package d'appareil du fournisseur
TO-263 (IXFA)
Dissipation de puissance (maximum)
250W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
1200V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
6A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
2.4 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
92nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2830pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
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Mots-clés de IXFA6N120P TRL
IXFA6N120P TRL Composants électroniques
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