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IXDN430MYI

IXDN430MYI

IC MOSFET/IGBT DRIVER TO-263
Numéro d'article
IXDN430MYI
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Bulk
Type d'entrée
Non-Inverting
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
Package d'appareil du fournisseur
TO-263 (D²Pak)
Tension - Alimentation
8.5 V ~ 35 V
Type de canal
Single
Configuration pilotée
Low-Side
Nombre de conducteurs
1
Type de porte
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Tension logique - VIL, VIH
0.8V, 3.5V
Courant - Sortie de crête (source, puits)
30A, 30A
Tension côté élevé - Max (Bootstrap)
-
Temps de montée/descente (type)
18ns, 16ns
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Mots-clés de IXDN430MYI
IXDN430MYI Composants électroniques
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