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FMM110-015X2F
MOSFET 2N-CH 150V 53A I4-PAC
Numéro d'article
FMM110-015X2F
Fabricant/Marque
Série
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
i4-Pac™-5
Puissance - Max
180W
Package d'appareil du fournisseur
ISOPLUS i4-PAC™
Type FET
2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
Standard
Tension drain-source (Vdss)
150V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
53A
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 55A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
150nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
8600pF @ 25V
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