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SPB21N10 G

MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK

Numéro d'article

SPB21N10 G

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

SIPMOS®

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Package d'appareil du fournisseur

PG-TO263-3-2

Dissipation de puissance (maximum)

90W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

100V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

21A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

80 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 44µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

38.4nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

865pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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