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SPB18P06P

MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK

Numéro d'article

SPB18P06P

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

SIPMOS®

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Package d'appareil du fournisseur

D²PAK (TO-263AB)

Dissipation de puissance (maximum)

81.1W (Ta)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

60V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

18.7A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

130 mOhm @ 13.2A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

860pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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