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IRL6283MTRPBF

MOSFET N-CH 20V 211A DIRECTFET

Numéro d'article

IRL6283MTRPBF

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®, StrongIRFET™

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

DirectFET™ Isometric MD

Package d'appareil du fournisseur

DIRECTFET™ MD

Dissipation de puissance (maximum)

2.1W (Ta), 63W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

38A (Ta), 211A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

0.75 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.1V @ 100µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

158nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

8292pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±12V

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