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IRF9389PBF

MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO

Numéro d'article

IRF9389PBF

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Statut de la pièce

Discontinued at Digi-Key

Emballage

Tube

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Puissance - Max

Package d'appareil du fournisseur

8-SO

Type FET

N and P-Channel

Fonctionnalité FET

Logic Level Gate

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

6.8A, 4.6A

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

27 mOhm @ 6.8A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.3V @ 10µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

398pF @ 15V

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