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IRF8852TRPBF

MOSFET 2N-CH 25V 7.8A 8TSSOP

Numéro d'article

IRF8852TRPBF

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Cut Tape (CT)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Puissance - Max

Package d'appareil du fournisseur

8-TSSOP

Type FET

2 N-Channel (Dual)

Fonctionnalité FET

Logic Level Gate

Tension drain-source (Vdss)

25V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

7.8A

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

11.3 mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.35V @ 25µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

9.5nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1151pF @ 20V

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