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IRF8313TRPBF

MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC

Numéro d'article

IRF8313TRPBF

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Statut de la pièce

Not For New Designs

Emballage

Digi-Reel®

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Puissance - Max

Package d'appareil du fournisseur

8-SO

Type FET

2 N-Channel (Dual)

Fonctionnalité FET

Logic Level Gate

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

9.7A

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

15.5 mOhm @ 9.7A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.35V @ 25µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

760pF @ 15V

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