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IRF8304MTR1PBF

IRF8304MTR1PBF

MOSFET N-CH 30V 28A MX
Numéro d'article
IRF8304MTR1PBF
Fabricant/Marque
Série
HEXFET®
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Digi-Reel®
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
DirectFET™ Isometric MX
Package d'appareil du fournisseur
DIRECTFET™ MX
Dissipation de puissance (maximum)
2.8W (Ta), 100W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
28A (Ta), 170A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
2.2 mOhm @ 28A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.35V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
42nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
4700pF @ 15V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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Mots-clés de IRF8304MTR1PBF
IRF8304MTR1PBF Composants électroniques
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