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IRF7805QTRPBF

IRF7805QTRPBF

MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
Numéro d'article
IRF7805QTRPBF
Fabricant/Marque
Série
HEXFET®
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Digi-Reel®
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareil du fournisseur
8-SO
Dissipation de puissance (maximum)
2.5W (Ta)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
13A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
11 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
31nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V
Vgs (Max)
±12V
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Coordonnées
Mots-clés de IRF7805QTRPBF
IRF7805QTRPBF Composants électroniques
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