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IRF7700GTRPBF

IRF7700GTRPBF

MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP
Numéro d'article
IRF7700GTRPBF
Fabricant/Marque
Série
HEXFET®
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Package d'appareil du fournisseur
8-TSSOP
Dissipation de puissance (maximum)
1.5W (Ta)
Type FET
P-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
8.6A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
15 mOhm @ 8.6A, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
89nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
4300pF @ 15V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Vgs (Max)
±12V
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Coordonnées
Mots-clés de IRF7700GTRPBF
IRF7700GTRPBF Composants électroniques
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