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IRF7526D1PBF

IRF7526D1PBF

MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
Numéro d'article
IRF7526D1PBF
Fabricant/Marque
Série
FETKY™
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Package d'appareil du fournisseur
Micro8™
Dissipation de puissance (maximum)
1.25W (Ta)
Type FET
P-Channel
Fonctionnalité FET
Schottky Diode (Isolated)
Tension drain-source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
2A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
200 mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
180pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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Coordonnées
Mots-clés de IRF7526D1PBF
IRF7526D1PBF Composants électroniques
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