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IRF7521D1PBF

IRF7521D1PBF

MOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO8
Numéro d'article
IRF7521D1PBF
Fabricant/Marque
Série
FETKY™
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Package d'appareil du fournisseur
Micro8™
Dissipation de puissance (maximum)
1.3W (Ta)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
Schottky Diode (Isolated)
Tension drain-source (Vdss)
20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
2.4A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
135 mOhm @ 1.7A, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
700mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
8nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
260pF @ 15V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.7V, 4.5V
Vgs (Max)
±12V
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Mots-clés de IRF7521D1PBF
IRF7521D1PBF Composants électroniques
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