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IRF7452QTRPBF

IRF7452QTRPBF

MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC
Numéro d'article
IRF7452QTRPBF
Fabricant/Marque
Série
HEXFET®
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Digi-Reel®
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareil du fournisseur
8-SO
Dissipation de puissance (maximum)
2.5W (Ta)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
100V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
4.5A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
930pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
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Mots-clés de IRF7452QTRPBF
IRF7452QTRPBF Composants électroniques
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