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IRF7351TRPBF

MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC

Numéro d'article

IRF7351TRPBF

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Digi-Reel®

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Puissance - Max

Package d'appareil du fournisseur

8-SO

Type FET

2 N-Channel (Dual)

Fonctionnalité FET

Logic Level Gate

Tension drain-source (Vdss)

60V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

17.8 mOhm @ 8A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 50µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1330pF @ 30V

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