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IRF7342TRPBF

MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC

Numéro d'article

IRF7342TRPBF

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Puissance - Max

Package d'appareil du fournisseur

8-SO

Type FET

2 P-Channel (Dual)

Fonctionnalité FET

Logic Level Gate

Tension drain-source (Vdss)

55V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

3.4A

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

105 mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

690pF @ 25V

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