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IRF2907ZLPBF

IRF2907ZLPBF

MOSFET N-CH 75V 75A TO262
Numéro d'article
IRF2907ZLPBF
Fabricant/Marque
Série
HEXFET®
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Package d'appareil du fournisseur
TO-262
Dissipation de puissance (maximum)
300W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
75V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
160A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
4.5 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
270nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
7500pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
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Coordonnées
Mots-clés de IRF2907ZLPBF
IRF2907ZLPBF Composants électroniques
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