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IPS70R600CEAKMA1

IPS70R600CEAKMA1

MOSFET N-CH 700V 10.5A TO-251
Numéro d'article
IPS70R600CEAKMA1
Fabricant/Marque
Série
CoolMOS™
Statut de la pièce
Discontinued at Digi-Key
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Package d'appareil du fournisseur
PG-TO251-3
Dissipation de puissance (maximum)
86W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
Super Junction
Tension drain-source (Vdss)
700V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
10.5A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
600 mOhm @ 1A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
3.5V @ 0.21mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
474pF @ 100V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
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Coordonnées
Mots-clés de IPS70R600CEAKMA1
IPS70R600CEAKMA1 Composants électroniques
IPS70R600CEAKMA1 Ventes
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