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IPS09N03LA G
MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
Numéro d'article
IPS09N03LA G
Fabricant/Marque
Série
OptiMOS™
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Package d'appareil du fournisseur
PG-TO251-3
Dissipation de puissance (maximum)
63W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
25V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
50A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
8.8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
2V @ 20µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1642pF @ 15V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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