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IPP08CN10N G

IPP08CN10N G

MOSFET N-CH 100V 95A TO-220
Numéro d'article
IPP08CN10N G
Fabricant/Marque
Série
OptiMOS™
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-220-3
Package d'appareil du fournisseur
PG-TO-220-3
Dissipation de puissance (maximum)
167W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
100V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
95A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
8.5 mOhm @ 95A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 130µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
100nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
6660pF @ 50V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
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Coordonnées
Mots-clés de IPP08CN10N G
IPP08CN10N G Composants électroniques
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