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IPG20N10S4L22AATMA1

MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8

Numéro d'article

IPG20N10S4L22AATMA1

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

OptiMOS™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-PowerVDFN

Puissance - Max

60W

Package d'appareil du fournisseur

PG-TDSON-8-10

Type FET

2 N-Channel (Dual)

Fonctionnalité FET

Logic Level Gate

Tension drain-source (Vdss)

100V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

20A

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

22 mOhm @ 17A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.1V @ 25µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1755pF @ 25V

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