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IPD95R2K0P7ATMA1

MOSFET N-CH 950V 4A TO252

Numéro d'article

IPD95R2K0P7ATMA1

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

CoolMOS™ P7

Statut de la pièce

Active

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Package d'appareil du fournisseur

PG-TO252-3

Dissipation de puissance (maximum)

37W (Tc)

Type FET

N-Channel

Tension drain-source (Vdss)

950V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

4A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

2 Ohm @ 1.7A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3.5V @ 80µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

330pF @ 400V

Vgs (Max)

±20V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

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