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IPD80R1K4CEBTMA1

IPD80R1K4CEBTMA1

MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
Numéro d'article
IPD80R1K4CEBTMA1
Fabricant/Marque
Série
CoolMOS™
Statut de la pièce
Discontinued at Digi-Key
Emballage
Digi-Reel®
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package d'appareil du fournisseur
TO-252-3
Dissipation de puissance (maximum)
63W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
800V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
3.9A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 2.3A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
3.9V @ 240µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
570pF @ 100V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
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Coordonnées
Mots-clés de IPD80R1K4CEBTMA1
IPD80R1K4CEBTMA1 Composants électroniques
IPD80R1K4CEBTMA1 Ventes
IPD80R1K4CEBTMA1 Fournisseur
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