Acheter Infineon Technologies IPD530N15N3GBTMA1 MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3

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IPD530N15N3GBTMA1

MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3

Numéro d'article

IPD530N15N3GBTMA1

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

OptiMOS™

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Package d'appareil du fournisseur

PG-TO252-3

Dissipation de puissance (maximum)

68W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

150V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

21A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

53 mOhm @ 18A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 35µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

887pF @ 75V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

8V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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