Acheter Infineon Technologies IPD50R399CP MOSFET N-CH 550V 9A TO-252

L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.

Afficher plus d'informations DataSheets

IPD50R399CP

MOSFET N-CH 550V 9A TO-252

Numéro d'article

IPD50R399CP

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

CoolMOS™

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Package d'appareil du fournisseur

PG-TO252-3

Dissipation de puissance (maximum)

83W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

550V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

9A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

399 mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3.5V @ 330µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

890pF @ 100V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

Citation requise

Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.

En stock 35142 PCS

Coordonnées