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IPC100N04S5L2R6ATMA1

IPC100N04S5L2R6ATMA1

MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
Numéro d'article
IPC100N04S5L2R6ATMA1
Fabricant/Marque
Série
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Statut de la pièce
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-PowerTDFN
Package d'appareil du fournisseur
PG-TDSON-8-34
Dissipation de puissance (maximum)
75W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
40V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
100A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
2.6 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
2V @ 30µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
55nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2925pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±16V
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Coordonnées
Mots-clés de IPC100N04S5L2R6ATMA1
IPC100N04S5L2R6ATMA1 Composants électroniques
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