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IPB65R225C7ATMA2

MOSFET N-CH 650V 11A TO-263-3

Numéro d'article

IPB65R225C7ATMA2

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

CoolMOS™ C7

Statut de la pièce

Active

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Package d'appareil du fournisseur

PG-TO263-3

Dissipation de puissance (maximum)

63W (Tc)

Type FET

N-Channel

Tension drain-source (Vdss)

650V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

11A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

225 mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 240µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

996pF @ 400V

Vgs (Max)

±20V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

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