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IPB65R110CFDAATMA1

IPB65R110CFDAATMA1

MOSFET N-CH TO263-3
Numéro d'article
IPB65R110CFDAATMA1
Fabricant/Marque
Série
Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
Statut de la pièce
Active
Emballage
Digi-Reel®
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package d'appareil du fournisseur
D²PAK (TO-263AB)
Dissipation de puissance (maximum)
277.8W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
650V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
31.2A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
110 mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4.5V @ 1.3mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
118nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
3240pF @ 100V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
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En stock 8055 PCS
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Mots-clés de IPB65R110CFDAATMA1
IPB65R110CFDAATMA1 Composants électroniques
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