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IPB60R520CPATMA1

MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-263

Numéro d'article

IPB60R520CPATMA1

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

CoolMOS™

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Package d'appareil du fournisseur

D²PAK (TO-263AB)

Dissipation de puissance (maximum)

66W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

600V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

6.8A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

520 mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

630pF @ 100V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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