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IPB160N04S2L03ATMA1

MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

Numéro d'article

IPB160N04S2L03ATMA1

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

OptiMOS™

Statut de la pièce

Discontinued at Digi-Key

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

Package d'appareil du fournisseur

PG-TO263-7-3

Dissipation de puissance (maximum)

300W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

40V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

160A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

2.7 mOhm @ 80A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

230nC @ 5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

6000pF @ 15V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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