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IPB12CNE8N G

MOSFET N-CH 85V 67A TO263-3

Numéro d'article

IPB12CNE8N G

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

OptiMOS™

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Package d'appareil du fournisseur

D²PAK (TO-263AB)

Dissipation de puissance (maximum)

125W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

85V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

67A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

12.9 mOhm @ 67A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 83µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

64nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

4340pF @ 40V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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