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BSO615NGHUMA1

MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC

Numéro d'article

BSO615NGHUMA1

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

SIPMOS®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Digi-Reel®

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Puissance - Max

Package d'appareil du fournisseur

PG-DSO-8

Type FET

2 N-Channel (Dual)

Fonctionnalité FET

Logic Level Gate

Tension drain-source (Vdss)

60V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

2.6A

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

150 mOhm @ 2.6A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

2V @ 20µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

380pF @ 25V

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