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BSO211PNTMA1

MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8SOIC

Numéro d'article

BSO211PNTMA1

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

OptiMOS™

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Cut Tape (CT)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Puissance - Max

Package d'appareil du fournisseur

P-DSO-8

Type FET

2 P-Channel (Dual)

Fonctionnalité FET

Logic Level Gate

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

4.7A

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

67 mOhm @ 4.7A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.2V @ 25µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

23.9nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

920pF @ 15V

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