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AUIRF3808S

MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK

Numéro d'article

AUIRF3808S

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Statut de la pièce

Discontinued at Digi-Key

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Package d'appareil du fournisseur

D2PAK

Dissipation de puissance (maximum)

200W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

75V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

106A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

7 mOhm @ 82A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

220nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

5310pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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