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AUIRF1018ES

AUIRF1018ES

MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
Numéro d'article
AUIRF1018ES
Fabricant/Marque
Série
HEXFET®
Statut de la pièce
Discontinued at Digi-Key
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package d'appareil du fournisseur
D2PAK
Dissipation de puissance (maximum)
110W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
60V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
79A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
8.4 mOhm @ 47A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
69nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2290pF @ 50V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
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Coordonnées
Mots-clés de AUIRF1018ES
AUIRF1018ES Composants électroniques
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