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GSID600A120S4B1
SILICON IGBT MODULES
Numéro d'article
GSID600A120S4B1
Fabricant/Marque
Série
Amp+™
Statut de la pièce
Active
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C
Type de montage
Chassis Mount
Colis/Caisse
Module
Puissance - Max
3060W
Configuration
Half Bridge
Package d'appareil du fournisseur
Module
Courant - Collecteur (Ic) (Max)
1130A
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)
1200V
Courant - Coupure du collecteur (Max)
1mA
Type IGBT
-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 600A
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
51nF @ 25V
Saisir
Standard
Thermistance CTN
Yes
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