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GP1M008A080FH

MOSFET N-CH 800V 8A TO220F

Numéro d'article

GP1M008A080FH

Fabricant/Marque

Global Power Technologies Group

Série

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-220-3 Full Pack

Package d'appareil du fournisseur

TO-220F

Dissipation de puissance (maximum)

40.3W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

800V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

8A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

1.4 Ohm @ 4A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

46nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1921pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

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