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EPC2112ENGRT
200 V GAN IC FET DRIVER
Numéro d'article
EPC2112ENGRT
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
-
Caractéristiques
-
Applications
DC-DC Converters
Colis/Caisse
-
Interface
On/Off
Package d'appareil du fournisseur
-
Tension - Alimentation
4.5 V ~ 5.5 V
Courant - Sortie / Canal
10A
Courant - Sortie de crête
40A
Protection contre les pannes
-
Configuration de sortie
High Side
Type de charge
Inductive
Rds activé (type)
32 mOhm
Tension - Charge
4.5 V ~ 5.5 V
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