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EPC2111

EPC2111

TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
Numéro d'article
EPC2111
Fabricant/Marque
EPC
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
Die
Puissance - Max
-
Package d'appareil du fournisseur
Die
Type FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Fonctionnalité FET
GaNFET (Gallium Nitride)
Tension drain-source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
16A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
19 mOhm @ 15A, 5V, 8 mOhm @ 15A, 5V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.5V @ 5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
230pF @ 15V, 590pF @ 15V
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