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TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE
Numéro d'article
EPC2110ENGRT
Fabricant/Marque
EPC
Série
eGaN®
Statut de la pièce
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
Die
Puissance - Max
-
Package d'appareil du fournisseur
Die
Type FET
2 N-Channel (Dual) Common Source
Fonctionnalité FET
GaNFET (Gallium Nitride)
Tension drain-source (Vdss)
120V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
3.4A
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 4A, 5V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.5V @ 700µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
0.8nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
80pF @ 60V
Citation requise
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