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EPC2108ENGRT

EPC2108ENGRT

TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
Numéro d'article
EPC2108ENGRT
Fabricant/Marque
EPC
Série
eGaN®
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
9-VFBGA
Puissance - Max
-
Package d'appareil du fournisseur
9-BGA (1.35x1.35)
Type FET
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Fonctionnalité FET
GaNFET (Gallium Nitride)
Tension drain-source (Vdss)
60V, 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
1.7A, 500mA
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
22pF @ 30V, 7pF @ 30V
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