L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.
Voir les spécifications pour les détails du produit.
EPC2105
TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
Numéro d'article
EPC2105
Fabricant/Marque
Série
eGaN®
Statut de la pièce
Active
Emballage
Digi-Reel®
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
Die
Puissance - Max
-
Package d'appareil du fournisseur
Die
Type FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Fonctionnalité FET
GaNFET (Gallium Nitride)
Tension drain-source (Vdss)
80V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
9.5A, 38A
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
14.5 mOhm @ 20A, 5V, 3.4 mOhm @ 20A, 5V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
Citation requise
Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.
En stock 46915 PCS
Coordonnées
Produits connexes
Mots-clés de EPC2105
EPC2105 Composants électroniques
EPC2105 Ventes
EPC2105 Fournisseur
EPC2105 Distributeur
EPC2105 Tableau de données
EPC2105 Photos
EPC2105 Prix
EPC2105 Offre
EPC2105 Prix le plus bas
EPC2105 Recherche
EPC2105 Achat
EPC2105 Chip