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EPC2102ENGRT

EPC2102ENGRT

MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE
Numéro d'article
EPC2102ENGRT
Fabricant/Marque
Série
eGaN®
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
Die
Puissance - Max
-
Package d'appareil du fournisseur
Die
Type FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Fonctionnalité FET
GaNFET (Gallium Nitride)
Tension drain-source (Vdss)
60V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
23A (Tj)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
4.4 mOhm @ 20A, 5V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.5V @ 7mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
6.8nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
830pF @ 30V
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Coordonnées
Mots-clés de EPC2102ENGRT
EPC2102ENGRT Composants électroniques
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