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TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
Numéro d'article
EPC2102ENG
Fabricant/Marque
EPC
Série
eGaN®
Statut de la pièce
Discontinued at Digi-Key
Emballage
Tray
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
Die
Puissance - Max
-
Package d'appareil du fournisseur
Die
Type FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Fonctionnalité FET
GaNFET (Gallium Nitride)
Tension drain-source (Vdss)
60V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
23A
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
4.4 mOhm @ 20A, 5V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.5V @ 7mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
6.8nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
830pF @ 30V
Citation requise
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