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TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
Numéro d'article
EPC2101ENGRT
Fabricant/Marque
EPC
Série
eGaN®
Statut de la pièce
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
Die
Puissance - Max
-
Package d'appareil du fournisseur
Die
Type FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Fonctionnalité FET
GaNFET (Gallium Nitride)
Tension drain-source (Vdss)
60V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
9.5A, 38A
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
11.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.5V @ 2mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
2.7nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
300pF @ 30V
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