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EPC2100ENGRT
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EPC2100ENGRT

MOSFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
Numéro d'article
EPC2100ENGRT
Fabricant/Marque
EPC
Série
eGaN®
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
Die
Puissance - Max
-
Package d'appareil du fournisseur
Die
Type FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Fonctionnalité FET
GaNFET (Gallium Nitride)
Tension drain-source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
10A (Ta), 40A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
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