L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.
Voir les spécifications pour les détails du produit.
EPC2100
TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
Numéro d'article
EPC2100
Fabricant/Marque
Série
eGaN®
Statut de la pièce
Active
Emballage
Digi-Reel®
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
Die
Puissance - Max
-
Package d'appareil du fournisseur
Die
Type FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Fonctionnalité FET
GaNFET (Gallium Nitride)
Tension drain-source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
10A (Ta), 40A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Citation requise
Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.
En stock 49911 PCS
Coordonnées
Produits connexes
Mots-clés de EPC2100
EPC2100 Composants électroniques
EPC2100 Ventes
EPC2100 Fournisseur
EPC2100 Distributeur
EPC2100 Tableau de données
EPC2100 Photos
EPC2100 Prix
EPC2100 Offre
EPC2100 Prix le plus bas
EPC2100 Recherche
EPC2100 Achat
EPC2100 Chip