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EPC2033
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EPC2033

TRANS GAN 150V 7MOHM BUMPED DIE
Numéro d'article
EPC2033
Fabricant/Marque
EPC
Série
eGaN®
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Température de fonctionnement
-
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
Die
Package d'appareil du fournisseur
Die
Dissipation de puissance (maximum)
-
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
150V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
31A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
7 mOhm @ 25A, 5V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.5V @ 9mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1140pF @ 75V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
-
Vgs (Max)
-
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