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EPC2031
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EPC2031

MOSFET NCH 60V 31A DIE
Numéro d'article
EPC2031
Fabricant/Marque
EPC
Série
eGaN®
Statut de la pièce
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
-
Colis/Caisse
-
Package d'appareil du fournisseur
-
Dissipation de puissance (maximum)
-
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
60V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
31A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
2.6 mOhm @ 30A, 5V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.5V @ 15mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1800pF @ 300V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
-
Vgs (Max)
-
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